据本网11月25日消息，继上个月三星宣布成功开发首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM后，其官网近日显示已推出更高速的样品版本速率从原有的28Gbps（型号K4vcf325zc-sc28）进一步提升至32Gbps（K4vcf325zc-sc32）与36Gbps（K4vcf325zc-sc36）。。虽然Nvidia计划在GeForce RTX 50 SUPER系列显卡中使用3GB模块仍是公开信息，是否会选择更高频率的版本还没有确定，但三星的提速无疑为下游厂商提供了更丰富的选择。
从技术层面来说，24Gb GDDR7采用了三星第五代10nm级DRAM工艺，在封装尺寸不变的前提下，存储单元密度提升了50%。与GDDR6中使用的GDDR6X的NRZ/PAM2或PAM4编码机制不同。 GDDR7首次引入PAM3信号编码机制，进一步优化数据传输效率。
此外，三星还将多项原本用于移动产品的能效技术引入到图形DRAM中，包括“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”，显着降低了不必要的功耗，整体能效提升了30%以上。为了保证高频工作时的稳定性，GDDR7还采用了功率门控设计，有效抑制漏电流。
