本网12月3日消息，据媒体报道，三星正在考虑调整其DRAM制造策略，计划将原用于生产HBM3E内存的1a nm制程通用DRAM产能削减30%至40%。随后，三星将通过工艺转换扩大适合标准内存产品（如DDR5、LPDDR5x）的1b nm工艺产能，以实现整体利润最大化。
由于AI需求爆发、HBM抢占核心产能以及短期扩产有限，DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品价格近期快速飙升。
对于三星而言，目前1b nm制程的产能在获利能力上，已经超越了传统认为因HBM高价而受益的1a nm制程。虽然三星最终成功成为NVIDIA的HBM3E供应商，但其供货规模较为有限，且三星HBM3E本身的平均售价比竞争对手SK海力士低30%。
基于这些因素，市场人士分析，如果三星将1a纳米工艺的30%至40%产能以及1z纳米等更成熟工艺的产能切换至1b纳米，则1b纳米工艺的月晶圆产能预计将额外扩大8万片晶圆，这将显着帮助三星整体盈利。
