本网11月19日消息，据媒体报道，三星正在加速增加1CNM DRAM产能，以抢占HBM4市场先机。按照规划，其目标是在2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆，并于第四季度进一步增至每月20万片晶圆。这些节点对应设备设置阶段，目标是在每个阶段实现批量生产准备。目前，三星的DRAM总产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着最新的1cnm DRAM产能将在短时间内达到总产能的约30%，其产能已超过2022年半导体繁荣时期每月13万片晶圆的扩产规模。
为了实现这一目标，三星一方面通过对现有DRAM生产线进行技术改造实现转型，另一方面依靠对平泽P4工厂的新投资。
此次积极扩产反映了三星对1cnm DRAM技术和市场需求的高度信心。在人工智能驱动的强劲需求下，近期DRAM市场出现供不应求的局面。
面对同样的机遇，竞争对手SK海力士也计划于2025年开始量产1Cnm DRAM，并于2026年全面投产。预计到2026年底，其在韩国国内通用DRAM产量的一半以上将来自1Cnm工艺，并形成包括LPDDR、GDDR在内的完整1Cnm产品阵容。
